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VS系列QCW半导体激光阵列

我们使用金锡封装技术,使得激光器在严苛的工作环境中仍具备高可靠性。

准连续垂直封装激光阵列

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产品特点
中心波长:808nm及全温周围
输出功率:500W至万瓦,结构可定制
工作模式:QCW准连续
制冷:主动制冷或者传导制冷
FAC快轴压缩可选


优势
大占空比:占空比可高达20%
定制灵活:作为泵浦源时,可根据客户需求定制结构。
高可靠性:金锡封装,适合严苛高低温工作环境。
全温设计:可根据设计需求组合波长。


应用:
高能研究:用于固体激光器的QCW泵浦源。
防御:短脉冲操作,用作泵浦源,用于照明或激光雷达系统.
医疗应用

 技术参数:



产品型号VSQCW-MI/MA-100~500-NVSQCW-MI/MA-100~500-N-FAC
光学参数

典型功率(W)100~500*N
准直后典型功率(W)
90~450*N
典型波长(nm)808808
Bar条数量N1~201~20
Bar条间距(mm)1.8/0.8~31.8/0.8~3
中心波长偏差(nm)±3/±10±3/±10
光谱宽度(nm)(FWHM)<3<3
典型快轴发散角(°)95%66
典型慢轴发散角(°)95%1010
准直后的快轴发散角(°)全功率
<0.5
偏振模式TETE
波长漂移系数(nm/℃)~0.28~0.28
电学参数

工作模式QCWQCW
占空比(%)≦20%≦20%
脉冲宽度(us)50~100050~1000
重复频率(Hz)1~10001~1000
工作电流(A)≦100~500≦100~500
工作电压(V)≦2*N≦2*N
斜率效率(W/A)>1.1>1.1
电光转化效率(%)>50>50
热学参数

工作温度范围(℃)-40~60/20~30-40~60/20~30
存储温度范围(℃)-50~85/0~55-50~85/0~55
存储湿度范围(%)<70<70
冷却传导制冷/主动水冷传导制冷/主动水冷
每bar流量(L/min)*/0.3-0.8*/0.3-0.8

 注:



1. VSQCW-MI/MA-100~500-N,为N个100~500W准连续BAR条阵列;其中MI代表基于微通道热沉的封装,需用去离子水冷却,MA代表基于传导型热沉或者宏通道热沉的封装。
2. 传导散热型热沉和宏通道热沉封装时,单位陶瓷片上可做单BAR、双BAR,至多10BAR的封装,影响因素包括脉宽、频率、散热结构等。
3. 以上参数是在热沉温度为25℃的条件下的测定的参数。
4. 单个器件中每个bar的波长可以根据散热条件进行排列组合。
5. 热沉结构可按照客户特殊要求定制。