| 产品特点 |
| 中心波长：808nm及全温周围 |
| 输出功率：500W至万瓦，结构可定制 |
| 工作模式：QCW准连续 |
| 制冷：主动制冷或者传导制冷 |
| FAC快轴压缩可选 |
| 优势 |
| 大占空比：占空比可高达20% |
| 定制灵活：作为泵浦源时，可根据客户需求定制结构。 |
| 高可靠性：金锡封装，适合严苛高低温工作环境。 |
| 全温设计：可根据设计需求组合波长。 |
| 应用： |
| 高能研究：用于固体激光器的QCW泵浦源。 |
| 防御：短脉冲操作，用作泵浦源，用于照明或激光雷达系统. |
| 医疗应用 |
技术参数：
| 产品型号 | VSQCW-MI/MA-100～500-N | VSQCW-MI/MA-100～500-N-FAC |
| 光学参数 | ||
| 典型功率（W） | 100～500*N | |
| 准直后典型功率（W） | 90～450*N | |
| 典型波长（nm） | 808 | 808 |
| Bar条数量N | 1～20 | 1～20 |
| Bar条间距（mm） | 1.8/0.8～3 | 1.8/0.8～3 |
| 中心波长偏差（nm） | ±3/±10 | ±3/±10 |
| 光谱宽度（nm）（FWHM） | ＜3 | ＜3 |
| 典型快轴发散角（°）95% | 66 | |
| 典型慢轴发散角（°）95% | 10 | 10 |
| 准直后的快轴发散角（°）全功率 | ＜0.5 | |
| 偏振模式 | TE | TE |
| 波长漂移系数（nm/℃） | ～0.28 | ～0.28 |
| 电学参数 | ||
| 工作模式 | QCW | QCW |
| 占空比（%） | ≦20% | ≦20% |
| 脉冲宽度（us） | 50～1000 | 50～1000 |
| 重复频率（Hz） | 1～1000 | 1～1000 |
| 工作电流（A） | ≦100～500 | ≦100～500 |
| 工作电压（V） | ≦2*N | ≦2*N |
| 斜率效率（W/A） | ＞1.1 | ＞1.1 |
| 电光转化效率（%） | ＞50 | ＞50 |
| 热学参数 | ||
| 工作温度范围（℃） | -40～60/20～30 | -40～60/20～30 |
| 存储温度范围（℃） | -50～85/0～55 | -50～85/0～55 |
| 存储湿度范围（%） | ＜70 | ＜70 |
| 冷却 | 传导制冷/主动水冷 | 传导制冷/主动水冷 |
| 每bar流量（L/min） | */0.3-0.8 | */0.3-0.8 |
注：
| 1. VSQCW-MI/MA-100～500-N，为N个100～500W准连续BAR条阵列；其中MI代表基于微通道热沉的封装，需用去离子水冷却，MA代表基于传导型热沉或者宏通道热沉的封装。 |
| 2. 传导散热型热沉和宏通道热沉封装时，单位陶瓷片上可做单BAR、双BAR,至多10BAR的封装,影响因素包括脉宽、频率、散热结构等。 |
| 3. 以上参数是在热沉温度为25℃的条件下的测定的参数。 |
| 4. 单个器件中每个bar的波长可以根据散热条件进行排列组合。 |
| 5. 热沉结构可按照客户特殊要求定制。 |